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 0755-27597068
氮化鎵

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。

當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。

傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

功率晶體管是開關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的硅技術(shù))的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。

ID
型號(hào)(氮化鎵)
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最大漏極電壓
最大漏極電流
導(dǎo)通內(nèi)阻
封裝
柵極總電荷
反向恢復(fù)電荷
652564282113785856

KT65C1R070D

詳情
650V
24A
70m?
DFN8*8
9.5nC
110nC
652564282113785856

KT65C1R120D

詳情
650V
17A
120m?
DFN8*8
16.2nC
84nC
652564282113785856

KT65C1R200D

詳情
650V
12A
200m?
DFN8*8
11.9nC
53nC
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