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氮化鎵具有較寬的禁帶寬度（3.4eV），以藍(lán)寶石等材料為襯底，具有良好的散熱性能、高效率、體積小、重量輕，有利于器件在高功率條件下的工作。

在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間； 800V時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間

IGBT的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換，同時(shí)IGBT還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換功能，需要通過(guò)IGBT轉(zhuǎn)變成直流電，起到對(duì)交流電機(jī)的變頻控制